關於半超導體製造生產工藝采用的掩膜技術研發，英特爾和大日本進行打印近日公布，將把現在已有的的進行合作聯係擴大到32nm生產工藝（hp45）。混凝土來（lái）說就是說，將在EUV（Extreme Ultraviolet，遠紫外）曝光掩膜技術的研發中開展進行合作。

　　2000年之後，英特爾和大日本進行打印（yìn）在180nm到（dào）45nm（hp65）半（bàn）超（chāo）導體（tǐ）製造生產工藝的掩膜技術研發中開展了進行合作。依據這下子的作出決定，在堅持現在已有的進行合（hé）作聯係（xì）的與此同時，將進一個步驟進一（yī）步強化（huà）過去的進行合作。

　　進行進行現在已有的ArF曝光的下一輩子技術，在全球範圍半超導體技術研（yán）發藍圖（ITRS）中非常管理EUV曝（pù）光技術（shù）。為的是達成EUV曝光，英特爾和大日本進行打印將通力進行合作，因為能在較為順序的（de）階段給予掩膜（mó）技術。